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STDRIVEG600W
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:触片
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
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STDRIVEG600W技术参数详情：
- 型号:STDRIVEG600W
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:触片
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:-
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:GaN FET，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4.75V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5.5A，6A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V
- 上升/下降时间（典型值）:7ns，5ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:触片
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