STE140NF20D技术参数详情：
STE140NF20D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用MOSFET技术，设计用于处理高功率应用，其关键额定参数包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下高达140A的连续漏极电流（Id）。
其核心优势在于优异的导通性能，在70A电流和10V栅极电压下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为12毫欧，这有助于显著降低传导损耗。器件采用ISOTOP封装，支持底座安装，最大功率耗散为500W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与散热能力。
- 型号:STE140NF20D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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