STE40NK90ZD技术参数详情：
STE40NK90ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心电气规格为900V漏源电压（Vdss）和40A连续漏极电流（Tc），专为应对高功率密度设计挑战而优化。
其技术优势在于实现了低导通电阻（180mΩ @ 20A, 10V）与低栅极电荷（826nC @ 10V）的良好结合，这有助于同时降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-65°C ~ 150°C）和高达600W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在恶劣工业环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STE40NK90ZD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:826 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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