STE48NM50

STE48NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压、大电流开关应用，核心参数包括550V的漏源电压（Vdss）和48A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为100毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值117nC）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用ISOTOP封装，确保了出色的热管理，最高结温达150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。

• 型号:STE48NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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