STE60N105DK5技术参数详情：
STE60N105DK5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DK5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于1050V的漏源电压（Vdss）额定值和46A（Tc）的连续漏极电流能力，为处理高功率提供了坚实的基础。
通过采用先进的超结技术，它在保持高耐压的同时，实现了低至120mΩ（@10V, 23A）的导通电阻和优化的204nC栅极电荷，这直接转化为更低的传导与开关损耗。其ISOTOP封装确保了出色的热性能，支持高达680W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业环境对可靠性和鲁棒性的严苛要求。
- 制造商产品型号：STE60N105DK5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 1050V 46A ISOTOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh DK5
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1050V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：46A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 23A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：204nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6675pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：680W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 器件封装：ISOTOP
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