STF100N10F7

STF100N10F7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VII和DeepGATE技术的N沟道功率MOSFET。该器件在TO-220FP封装内集成了100V的漏源电压（V_DSS）和高达45A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流基础。

其核心优势体现在极低的功率损耗上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为8毫欧（@22.5A），显著降低了导通状态的能量损失。同时，最大61nC的低栅极电荷（Q_g）确保了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并允许更高的工作频率。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动和各类功率转换系统效率的理想选择。

• 型号:STF100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 45A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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