


STF100N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用TO-220FP封装,额定电压为60V,在25°C壳温下可支持高达46A的连续漏极电流。
其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下,其最大导通电阻仅为5.6毫欧(@23A),显著降低了传导损耗。同时,最大30nC的栅极总电荷确保了快速的开关特性,有助于提升开关电源等应用的效率与频率性能。
该器件设计稳健,栅源电压耐受范围为±20V,工作结温范围宽至-55°C至175°C,适用于对可靠性和功率密度有较高要求的工业级电源转换与电机控制应用。
