STF10N60DM2技术参数详情：
STF10N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了600V的高漏源电压（Vdss）与低至530毫欧（@10V，4A）的导通电阻，这得益于其MDmesh DM2超结技术，旨在实现高压环境下出色的效率与功率密度。
该器件在25°C壳温下可承受8A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于降低开关损耗并提升开关频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和25W的功率耗散能力，确保了其在严苛应用中的可靠性，主要面向高效的开关电源、功率因数校正及工业电源系统。
- 型号:STF10N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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