STF10N62K3技术参数详情：
STF10N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心参数针对高效功率开关应用进行了优化。
其突出特性在于620V的高漏源击穿电压与低至750毫欧（@10V，4A）的导通电阻，这确保了在高电压应用中既能承受足够的应力，又能有效降低导通损耗。同时，42nC的较低栅极电荷有助于实现快速开关，减少驱动损耗，适用于频率较高的PWM控制场景。该器件在25°C壳温下可支持8.4A的连续漏极电流，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力和环境适应性。
- 型号:STF10N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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