STF10N65K3技术参数详情：
STF10N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数针对高电压、高效率应用进行了优化。
其650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在严苛的功率转换环境下的高可靠性。关键特性在于其优异的开关性能与低损耗平衡：在10V驱动下极低的导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则有助于提升开关速度、降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及高效照明系统等应用中提升能效和功率密度的关键元件。
- 型号:STF10N65K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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