STF11N50M2

STF11N50M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。作为MDmesh II Plus系列的一员，该器件核心优势在于其高压与低损耗的平衡设计，具备500V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键电气参数凸显了高效开关特性：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为530毫欧（@4A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值低至12nC（@10V），有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为要求高效率的开关电源（SMPS）和功率转换应用的理想选择。

• 型号:STF11N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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