STF11N60M2-EP

STF11N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至595毫欧（@3.75A, 10V）的导通电阻的优异组合，同时保持了极低的栅极电荷（12.4nC @10V），这共同确保了在高频开关应用中实现低传导损耗和低开关损耗。

该MOSFET在25°C壳温下可支持7.5A的连续漏极电流，并采用TO-220FP绝缘封装，便于安装和散热。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够满足工业级应用的严苛环境要求。这些特性使其成为开关电源、电机驱动、照明及能源转换系统中追求高效率和高可靠性的理想功率开关选择。

• 型号:STF11N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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