STF11NM65N技术参数详情：
STF11NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数针对高效功率转换进行了优化。
其具备650V的高漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流能力，适用于高压输入场合。关键优势在于优异的动态性能与导通特性组合：最大栅极电荷（Qg）低至29nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗；同时在10V驱动下具有较低的导通电阻，有效减少了导通状态下的功率耗散。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等应用中提升效率的理想选择。
- 型号:STF11NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:455 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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