STF12NK65Z技术参数详情：
STF12NK65Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心特性在于其650V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至700mΩ的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，能够在高压环境下实现较低的传导损耗。
此外，器件具备10A的连续漏极电流能力和62.6nC的典型栅极电荷（Qg），这有助于降低开关损耗并提升开关频率，从而优化电源系统的整体效率与功率密度。这些特性使其成为适用于开关电源、电机驱动及能源逆变等高要求功率转换应用的理想选择。
- ST意法半导体公司完整型号：STF12NK65Z
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
- 系列：SuperMESH
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1837pF @ 25V
- 功率 - 最大值：35W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：TO-220FP
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