STF130N10F3技术参数详情：
STF130N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理能力与开关效率。
其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及在壳温（Tc）条件下高达46A的连续漏极电流。关键性能优势体现在极低的导通电阻，在10V Vgs、23A Id条件下最大仅为9.6毫欧，以及优化的栅极电荷（Qg最大57nC @10V），共同确保了较低的传导与开关损耗。器件结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求严苛的功率转换与电机控制应用。
- 型号:STF130N10F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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