STF150N10F7技术参数详情：
STF150N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件基于STripFET VII技术，在100V的漏源电压（Vdss）下，能够支持高达65A（Tc）的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为4.2毫欧（@55A, 10V），可显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大值117nC @10V）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等高效能功率转换应用的理想选择。
- 型号:STF150N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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