STF18N65M2技术参数详情：
STF18N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的半导体技术，实现了650V高耐压与低导通电阻的优化组合，在10V栅极驱动下导通电阻典型值仅为330毫欧，有助于显著降低功率转换过程中的传导损耗。
其电气特性经过精心设计，连续漏极电流（Id）可达12A，最大栅极电荷（Qg）为20nC，这确保了器件具备快速开关能力和较低的驱动损耗。TO-220FP封装提供了良好的通孔安装便利性与散热性能，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够满足工业级应用的可靠性要求。该器件是构建高效、紧凑型开关电源和电机驱动等高压功率系统的核心组件。
- 型号:STF18N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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