STF22N60M6技术参数详情：
STF22N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-220FP封装，额定电压为600V，连续漏极电流达15A，专为要求高效率和高可靠性的高压开关应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型值230mΩ @ 10V, 7.5A）与优化的动态参数。较低的栅极电荷（最大20nC）和输入电容确保了快速的开关特性，能显著降低开关损耗，提升系统频率和功率密度。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及电机驱动等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STF22N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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