STF22NM60N

STF22NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压和16A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至220毫欧（@8A），能显著降低通态功耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大44nC）和输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升整体电源转换效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高效率与高可靠性的理想功率开关选择。

• 型号:STF22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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