STF25N10F7技术参数详情：
STF25N10F7是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心规格包括100V的漏源电压（Vdss）和19A（Tc）的连续漏极电流，适用于中功率开关应用。
该器件基于STripFET VII技术与DeepGATE工艺，实现了低至35毫欧（@12.5A, 10V）的导通电阻与仅14nC（@10V）的栅极电荷，这一组合有效降低了导通与开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和25W（Tc）的功率耗散能力，确保了在 demanding 环境下的稳定运行。
- 型号:STF25N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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