STF25N60M2-EP技术参数详情：
STF25N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件设计用于高压、高开关频率应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻（188mΩ @ 9A, 10V）与低栅极电荷（29nC @ 10V）的优异结合。这种特性组合能有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的高可靠性，适用于要求长期稳定运行的工业级电源与驱动系统。
- 型号:STF25N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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