STF260N4F7技术参数详情：
STF260N4F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心参数表现为40V的漏源电压和高达90A的连续漏极电流处理能力。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为2.5毫欧，配合优化的67nC栅极电荷，共同实现了卓越的传导效率与快速的开关性能。该MOSFET采用TO-220FP封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，为高可靠性、高效率的功率开关应用提供了坚实的硬件基础。
- 制造商产品型号：STF260N4F7
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F7
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：67nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5640pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220FP
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