STF28N60M2技术参数详情：
STF28N60M2是ST意法半导体MDmesh II Plus系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低至150毫欧（@12A, 10V）的导通电阻与仅37nC的低栅极电荷的优异组合，这使其在高压开关应用中能显著降低导通与开关损耗。
其24A（Tc）的高连续电流处理能力、宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）以及采用便于散热的TO-220FP绝缘封装，共同确保了其在严苛功率环境下的可靠性与耐久性。这些特性使其成为设计高效、高功率密度电源和电机驱动系统的理想选择。
- 型号:STF28N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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