STF2HNK60Z

STF2HNK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为600V，在25°C壳温下可承受2A的连续漏极电流，适用于高压开关环境。

其技术核心在于优化了导通损耗与开关性能的平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为4.8欧姆（@1A），有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值15nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值280pF @25V）确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗并简化驱动电路设计。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，可靠性高。

• 型号:STF2HNK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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