STF2LN60K3技术参数详情：
STF2LN60K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能SuperMESH3系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与2A连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。极低的栅极电荷（12nC @10V）与输入电容确保了快速的开关响应，有利于高频操作并降低驱动损耗。同时，4.5欧姆（@1A, 10V）的低导通电阻有效减少了传导过程中的功率耗散，结合20W的最大功耗能力，使其在提升系统效率与热管理方面表现突出。
- 型号:STF2LN60K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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