STF2N62K3

STF2N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高漏源击穿电压与优化的低栅极电荷特性，这使其在高压开关应用中能同时兼顾良好的耐压可靠性与高频开关效率。

其关键参数包括：在10V驱动下导通电阻最大值为3.6Ω，栅极电荷最大值仅为15nC，连续漏极电流可达2.2A（T_C）。这些参数共同指向了低导通损耗与低开关损耗的设计目标。器件采用TO-220FP通孔封装，最大结温150°C，功率处理能力出色，为工程师在紧凑空间内实现高效、可靠的功率转换提供了有力的元器件选择。

• 型号:STF2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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