STF30N10F7技术参数详情：
STF30N10F7是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VII系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括100V的漏源电压(Vdss)和24A的连续漏极电流(Id)，具备处理中等功率水平的能力。
其关键优势在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(On))典型值低至24毫欧@16A，能有效降低传导损耗。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为19nC，结合1270pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关电源和电机驱动等应用的效率与频率。宽结温范围（-55°C至175°C）为其在工业环境中的稳定运行提供了保障。
- 型号:STF30N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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