STF30NM60N

STF30NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源耐压（Vdss）与低至130毫欧（@10V， 12.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这显著降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为91nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升系统整体效率。器件在壳温25°C下可承受25A的连续漏极电流，最高结温达150°C，确保了在功率转换应用中的稳健性能。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和UPS等中高功率应用中的理想功率开关选择。

• 型号:STF30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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