STF32NM50N

STF32NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用金属氧化物半导体场效应晶体管技术，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Tc=25°C），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧（@11A），配合62.5nC的较低栅极电荷（Qg），有效优化了导通与开关损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功率耗散为35W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在工业级功率转换场景中的稳定性和耐用性。

• 型号:STF32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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