STF33N65M2

STF33N65M2是ST意法半导体推出的MDmesh M2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高耐压与24A的高电流处理能力，结合优化的超结技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提升系统能效。

其开关特性经过精心设计，具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于实现快速开关、减少开关损耗，并简化驱动电路设计。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和新能源逆变器等中高功率密度应用的理想选择，在高达150°C的结温下仍能保证稳定可靠的性能。

• 型号:STF33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:34W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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