STF35N60DM2技术参数详情：
STF35N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件设计用于高压、高频率开关应用，其核心优势在于优异的品质因数（FOM），即在600V漏源电压（Vdss）和28A连续漏极电流（Id）的规格下，实现了低至110毫欧的导通电阻（Rds(on)）与仅54nC的栅极电荷（Qg）的出色结合。
这种特性组合使得该MOSFET能够同时降低传导损耗和开关损耗，从而提升电源系统的整体效率与功率密度。其采用TO-220FP通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和长寿命，适用于要求严苛的工业级应用场景。
- 型号:STF35N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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