STF36N60M6技术参数详情：
STF36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、高电流的开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（VDSS）和30A的连续漏极电流（ID），提供了坚固的电气耐受性。
其技术优势体现在极低的导通电阻（RDS(on)），在10V栅极驱动下典型值仅为99毫欧（@15A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。配合优化的栅极电荷（Qg）特性，器件实现了传导损耗与开关损耗之间的出色平衡，有助于提升整体系统效率。TO-220FP封装确保了良好的热管理能力，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性的工业环境。
- 型号:STF36N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF36N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
