STF3HNK90Z

STF3HNK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流（Id），专为应对高压、高可靠性应用场景而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.2欧姆（@1.5A），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为35nC，这种低Rds(on)与低Qg的组合有效优化了开关损耗与导通损耗，提升了电源系统的整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并具备25W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STF3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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