STF5N52U技术参数详情：
STF5N52U是ST意法半导体UltraFASTmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C（Tc）下4.4A的连续漏极电流额定值。
其技术亮点在于优异的动态性能，最大栅极电荷（Qg）低至16.9nC（@10V），配合529pF（@25V）的最大输入电容（Ciss），共同确保了快速开关特性和低开关损耗。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为1.5欧姆（@2.2A），有助于降低导通状态下的功率耗散，提升系统整体效率。
- 型号:STF5N52U
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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