STF5NK100Z

STF5NK100Z是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-220FP。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值与3.7欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高电压开关应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

在开关性能方面，其最大栅极电荷（Qg）仅为59nC，配合10V的标准驱动电压，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件在25°C壳温下可承受3.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为30W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为离线电源、工业控制等高压功率转换应用的理想选择。

• 型号:STF5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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