STF7N52K3

STF7N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至850毫欧的导通电阻（Rds(on)），这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升效率。

在开关性能上，其栅极电荷（Qg）最大值为33nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持10V标准驱动，连续漏极电流（Id）可达6A，最大结温为150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行能力。这些特性使其非常适用于开关电源、电机驱动等对耐压和效率有较高要求的功率转换场景。

• 型号:STF7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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