STF7N60DM2

STF7N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电气基础。

其技术亮点在于实现了优异的动态性能与静态特性的结合。器件在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）低至900毫欧（@3A），同时具备极低的栅极电荷（Qg，最大值7.5nC @10V）。这一组合显著降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升电源转换效率并允许更高频率的操作。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则确保了其在各种环境条件下的稳定性和长寿命。

• 型号:STF7N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
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