


STF8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压(Vdss)额定值与优化的导通电阻特性,这使其能够在高压应用中实现较低的传导损耗。
此外,其具备较低的栅极电荷和输入电容,有助于实现快速的开关速度,从而降低开关损耗,提升整体转换效率。器件采用TO-220FP封装,额定连续漏极电流为6A(Tc),工作结温范围宽达-55°C至150°C,为设计高可靠性、高效率的电源转换和电机驱动解决方案提供了坚实的硬件基础。
