STF8N90K5技术参数详情：
STF8N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心优势在于其900V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的导通特性相结合，旨在满足高效率、高功率密度电源设计的需求。
器件在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流，最大功率耗散达130W，并具备-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。其采用TO-220FP通孔封装，兼顾了散热性能与安装便利性，主要面向工业电源、PFC电路、SMPS及照明驱动等高压开关应用。
- 型号:STF8N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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