STF9NK90Z

STF9NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为900V漏源电压（Vdss）与8A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术优势体现在采用SuperMESH技术，实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的良好折衷，这有助于提升开关频率并降低开关损耗，从而提高整体电源系统的效率。高达900V的耐压为其在工业电源和电机驱动等存在电压应力波动的环境中提供了关键的安全保障。

此外，器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备40W的功率耗散能力，确保了其在严苛工况下的长期稳定运行，是构建高效、紧凑型高压功率转换电路的理想选择。

• 型号:STF9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STF9NK90Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。