STFH18N60M2

STFH18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与13A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在导通特性方面，其最大导通电阻（Rds(on)）低至280毫欧（@10V， 6.5A），能有效减少导通状态下的功率损耗。在开关特性上，其栅极电荷（Qg）最大值仅为21.5nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正及电机控制等应用中高效、可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STFH18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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