STFI11N65M2技术参数详情：
STFI11N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关场景，其核心电气参数包括650V的漏源击穿电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为电源拓扑提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术优势体现在优异的动态性能上，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为670mΩ，同时栅极电荷（Qg）被优化至12.5nC，这有效平衡了传导损耗与开关损耗，有助于提升系统效率。器件采用I2PAKFP通孔封装，支持高达150°C的结温，确保了在工业级应用环境下的可靠性与散热效能。
- 型号:STFI11N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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