STFI11NM65N技术参数详情：
STFI11NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心额定参数为650V漏源电压和11A连续漏极电流，专为高压、高可靠性应用设计。
其技术优势体现在优异的开关与导通特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至455毫欧，有效降低了传导损耗；同时，最大栅极电荷仅为29nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率与功率密度方面表现突出。
综合其高压耐受能力、低损耗特性及150°C的最高工作结温，此器件非常适用于开关电源（如PFC电路）、工业电机控制及能源转换系统等对效率与鲁棒性有严苛要求的领域。
- 制造商产品型号：STFI11NM65N
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
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