STFI12N60M2技术参数详情：
STFI12N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用通孔I2PAKFP（TO-281）封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），为高压中电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为450毫欧（@4.5A），能有效降低传导损耗。同时，最大16nC的栅极电荷（Qg @10V）有助于减少开关损耗，提升电源系统的整体效率。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正（PFC）电路等应用的理想选择。
- 型号:STFI12N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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