STFI130N10F3技术参数详情：
STFI130N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用I2PAKFP通孔封装，核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡。
其关键电气参数定义了强大的应用潜力：100V的漏源电压和46A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础。尤为突出的是，其在10V驱动下导通电阻低至9.6毫欧（@23A），配合仅57nC的栅极电荷，共同确保了极低的传导损耗与开关损耗，从而显著提升系统整体能效。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STFI130N10F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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