STFI13N95K3技术参数详情：
STFI13N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心优势在于其950V的高漏源耐压（Vdss）与低至850毫欧的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，这使其在高压开关应用中能有效降低传导损耗。
在电气性能上，其在10V驱动电压下即可实现完全导通，连续漏极电流（Id）达10A，并支持高达150°C的结温工作。较低的栅极电荷（Qg）有助于提升开关效率。这些特性使其成为设计高效、可靠离线式电源的理想选择，尤其适用于PFC电路、主功率开关及工业电源等应用场景。
- 型号:STFI13N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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