STFI34N65M5

STFI34N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为I2PAKFP（TO-281）。该器件核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和28A连续漏极电流（Tc），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧（@14A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在62.5nC（@10V），有利于实现高速开关并减少开关损耗。结合其150°C的最高结温（TJ），该器件旨在提升中高功率开关电源、电机驱动等系统的效率和功率密度。

• 型号:STFI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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