STFI4N62K3

STFI4N62K3是意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为I2PAKFP（TO-281）。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及3.8A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大仅2欧姆的导通电阻（Rds(On)）有助于降低导通损耗，而22nC的低栅极电荷（Qg）则有利于实现高速开关并减少驱动损耗。器件支持10V标准驱动，最高结温可达150°C，适用于要求高可靠性和高效率的功率转换设计。

• 型号:STFI4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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