STFI7LN80K5

STFI7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，具备坚固的物理特性与良好的散热能力。

其技术优势体现在优异的静态与动态参数上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.15欧姆（@2.5A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为中功率离线开关电源、照明驱动及工业控制等应用中，追求高效率与高可靠性的理想功率开关选择。

• 型号:STFI7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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