STFU10NK60Z技术参数详情：
STFU10NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压耐受能力与出色的低导通电阻特性（最大750毫欧），这确保了在高压开关应用中既能有效阻断电压，又能最大限度地降低导通状态下的功率损耗。
此外，器件具备10A的连续电流处理能力，并采用TO-220FP封装以优化散热。其较低的栅极电荷（最大48nC）和输入电容有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为设计高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。
- 型号:STFU10NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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